梦幻诛仙电视剧百度云
高頻焊機|感應加熱設備|無功補償-保定四方三伊電氣有限公司專業生產廠家

新聞中心

當前位置:首頁 > 新聞中心 > 行業動態 >

國家發改委將推動新型電子器件產業化

發布時間:2016-04-29 07:07:30 作者:四方三伊 閱讀:
  記者30日從國家發改委了解到,為推動節能降耗,促進電力電子技術和產業的發展,國家發改委等有關部門將對安排補貼資金支持新型電力電子器件產業化。
  隨著我國智能電網、高鐵建設、新能源汽車以及節能家電等市場的發展,對5英寸及6英寸晶閘管、IGCT(集成門極換流晶閘管)、IGBT(絕緣柵雙極晶體管)的需求量巨大。
  記者了解到,2009年我國IGBT市場為53億元左右,而未來幾年隨著節能減排的推進,IGBT市場規模將年增20%-30%。
  但是,由于我國只有少數小功率IGBT的封裝線,還不具備研發、制造管芯的能力和大功率IGBT的封裝能力。因此目前國內市場所需的高端電力電子器件主要依賴進口,IGBT供應主要控制在英飛凌、三菱、ABB、富士等外資巨頭手中,技術上長期受制于人。對此,國家發改委明確表示,2010年將支持金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)、IGCT、IGBT、超快恢復二極管(FRD)等量大面廣的新型電力電子芯片和器件的產業化。
  據悉,國家發改委將組織實施新型電力電子器件產業化專項,鼓勵符合條件的企業申請國家補貼資金支持。
  國家補貼資金主要用于項目的研究開發、購置研究開發及工程化所需的儀器設備、改善工藝設備和測試條件、建設產業化或工程化驗證成套裝置和試驗裝置、建設必要的配套基礎設施、購置必要的技術、軟件等。

上一篇:第一頁
下一篇:電力電子業突破技術瓶頸任重道遠

梦幻诛仙电视剧百度云 北京pk10冠军计划群 u科娱乐 张琳芃 新火娱乐 网络百人牛牛能赢吗 黄山龙城国际娱乐会所 在线棋牌下载送10元 凤凰平台注册 足球即时比分球探007 2018石家庄沐足论坛 一见钟情两期极限平特一肖 比分直播 不穿内衣的性感美女图 群发软件哪个好